RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

総合得点
star star star star star
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 29
    周辺 17% 低遅延
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.4 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.4 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2267 left arrow 3614

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAMの比較

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
メモリRAM
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
PNY Electronics 8GBH2X04HAAA30-15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
メモリRAM