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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
総合得点
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
29
周辺 17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
13.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
9.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
29
読み出し速度、GB/s
14.4
13.8
書き込み速度、GB/秒
9.4
11.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2267
2690
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
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