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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

総合得点
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

総合得点
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB 考慮すべき理由
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 24
    周辺 -9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.4 left arrow 13.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2267 left arrow 3182

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Kingston 9905700-013.A00G 8GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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