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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
総合得点
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
総合得点
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
25
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
14.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
9.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
25
読み出し速度、GB/s
14.4
16.8
書き込み速度、GB/秒
9.4
13.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2267
2889
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAMの比較
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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