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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

総合得点
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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

総合得点
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB 考慮すべき理由
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 38
    周辺 -15% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.1 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 21.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2361 left arrow 3437

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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