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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

総合得点
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

総合得点
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 44
    周辺 -91% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2302 left arrow 3116

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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