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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

総合得点
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 44
    周辺 -76% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2302 left arrow 2994

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Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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