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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

総合得点
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

総合得点
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB 考慮すべき理由
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 44
    周辺 -100% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 13.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2302 left arrow 3182

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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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