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Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

総合得点
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Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB

総合得点
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 25
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2370 left arrow 3139

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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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メモリRAM
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