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Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
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Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB

総合得点
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    47 left arrow 53
    周辺 -13% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    53 left arrow 47
  • 読み出し速度、GB/s
    11.1 left arrow 9.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 5.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1885 left arrow 1413

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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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INTENSO 5641152 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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