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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
総合得点
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
52
周辺 -100% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
1,479.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
26
読み出し速度、GB/s
4,226.4
18.1
書き込み速度、GB/秒
1,479.2
13.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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