RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    6 left arrow 15.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,935.8 left arrow 11.8
    テスト平均値
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 45
    周辺 -50% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 6400
    周辺 3.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    6,336.8 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,935.8 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1144 left arrow 2913

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAMの比較

OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
メモリRAM