RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

総合得点
star star star star star
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 75
    周辺 65% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.3
    テスト平均値
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB 考慮すべき理由
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 75
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 1548

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
メモリRAM