RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
比較する
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
総合得点
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
総合得点
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
86
周辺 70% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
6.3
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.5
13.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
86
読み出し速度、GB/s
13.2
13.5
書き込み速度、GB/秒
8.4
6.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2070
1469
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAMの比較
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB RAMの比較
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link