RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Kingston XG9XKG-MIE 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 55
    周辺 35% 低遅延
Kingston XG9XKG-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 14.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 55
  • 読み出し速度、GB/s
    14.8 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2481 left arrow 2870

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAMの比較

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
メモリRAM