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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

総合得点
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

総合得点
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 54
    周辺 48% 低遅延
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 12.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    12.4 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2014 left arrow 2511

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
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メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
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メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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