RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 37
    周辺 16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 16.9
    テスト平均値
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB 考慮すべき理由
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    17.4 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.9 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2735 left arrow 3419

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAMの比較

Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
メモリRAM