RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 16.4
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 31
    周辺 -29% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    17.4 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.9 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2735 left arrow 2900

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAMの比較

Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB RAMの比較

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
メモリRAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Mushkin 996902 2GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
メモリRAM