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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
総合得点
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
総合得点
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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考慮すべき理由
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
34
周辺 -48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
16.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
11.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
23
読み出し速度、GB/s
16.8
17.5
書き込み速度、GB/秒
11.3
13.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2968
3193
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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