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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

総合得点
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 35
    周辺 3% 低遅延
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    34 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    16.8 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.3 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2968 left arrow 3306

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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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