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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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考慮すべき理由
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
34
周辺 -31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
16.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.0
11.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
26
読み出し速度、GB/s
16.8
17.7
書き込み速度、GB/秒
11.3
14.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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