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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比較する
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
73
周辺 62% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
14.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
7.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
73
読み出し速度、GB/s
18.2
14.1
書き込み速度、GB/秒
11.5
7.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
1609
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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