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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
比較する
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
32
周辺 13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
11.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
9.2
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
32
読み出し速度、GB/s
18.2
11.1
書き込み速度、GB/秒
11.5
9.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
2449
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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