RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

総合得点
star star star star star
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 76
    周辺 72% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 7.7
    テスト平均値
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB 考慮すべき理由
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    21 left arrow 76
  • 読み出し速度、GB/s
    17.4 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.2 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3130 left arrow 1718

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAMの比較

Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 0000 8GB
Kllisre 0000 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
メモリRAM