G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

総合得点

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

総合得点

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

21 28

周辺 25% 低遅延

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

18 17.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.5 12.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

21 28
読み出し速度、GB/s

17.4 18.0
書き込み速度、GB/秒

12.2 14.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3130 3490

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

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Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB

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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB

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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

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