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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
58
周辺 50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
24
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
12.0
テスト平均値
考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
58
読み出し速度、GB/s
24.0
16.0
書き込み速度、GB/秒
20.0
12.0
メモリ帯域幅、mbps
17000
25600
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2504
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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