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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
比較する
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
36
周辺 19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
24
16.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
14.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
36
読み出し速度、GB/s
24.0
16.2
書き込み速度、GB/秒
20.0
14.4
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
3166
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology 11137401 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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