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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
比較する
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
24
20.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.0
17.8
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
29
周辺 -21% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
24
読み出し速度、GB/s
24.0
20.3
書き込み速度、GB/秒
20.0
17.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
4156
4122
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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