RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 33
    周辺 12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    24 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    20.0 left arrow 8.3
    テスト平均値
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    24.0 left arrow 8.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    20.0 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    4156 left arrow 1946

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
メモリRAM