RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 37
    周辺 41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 9.4
    テスト平均値
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    22 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.5 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3679 left arrow 2438

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB RAMの比較

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
メモリRAM