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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

総合得点
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

総合得点
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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 26
    周辺 -18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21 left arrow 17.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    19.6 left arrow 15.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    17.8 left arrow 21.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    15.7 left arrow 19.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3867 left arrow 4240

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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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