RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology 11137401 8GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology 11137401 8GB

A-DATA Technology 11137401 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.1
    テスト平均値
A-DATA Technology 11137401 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology 11137401 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 49
    周辺 -23% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.3 left arrow 2,066.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    4,577.1 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,066.5 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    737 left arrow 1921

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAMの比較

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

A-DATA Technology 11137401 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
メモリRAM