Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

総合得点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 16.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,066.5 12.6

テスト平均値

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 49

周辺 -69% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 6400

周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

49 29
読み出し速度、GB/s

4,577.1 16.8
書き込み速度、GB/秒

2,066.5 12.6
メモリ帯域幅、mbps

6400 19200

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

737 3246

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB

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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB

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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB

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