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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston KMKYF9-HYA 8GB

総合得点
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点
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Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,066.5 left arrow 12.8
    テスト平均値
Kingston KMKYF9-HYA 8GB 考慮すべき理由
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 49
    周辺 -113% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,577.1 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,066.5 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    737 left arrow 2899

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メモリRAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
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Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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