RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比較する
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
総合得点
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
総合得点
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,066.5
10.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
49
周辺 -44% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
34
読み出し速度、GB/s
4,577.1
14.3
書き込み速度、GB/秒
2,066.5
10.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
737
2201
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAMの比較
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB RAMの比較
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link