RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 考慮すべき理由
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,066.5 left arrow 10.8
    テスト平均値
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 49
    周辺 -29% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    4,577.1 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,066.5 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    737 left arrow 2298

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAMの比較

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
メモリRAM