RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
INTENSO 5641162 8GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs INTENSO 5641162 8GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB

総合得点
star star star star star
INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,001.7 left arrow 11.7
    テスト平均値
INTENSO 5641162 8GB 考慮すべき理由
INTENSO 5641162 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 45
    周辺 -96% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
INTENSO 5641162 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,776.5 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,001.7 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    669 left arrow 2799

Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

INTENSO 5641162 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805G 2GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
メモリRAM