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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

総合得点
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.9
    テスト平均値
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 62
    周辺 -114% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 3285

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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メモリRAM
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Kingston K821PJ-MID 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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