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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
62
周辺 -121% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
28
読み出し速度、GB/s
3,556.6
17.3
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
13.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
3359
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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