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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
18
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
62
周辺 -130% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
27
読み出し速度、GB/s
3,556.6
18.0
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
13.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
2960
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
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