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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
62
周辺 -121% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
28
読み出し速度、GB/s
3,556.6
17.3
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
13.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
3299
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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