RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

総合得点
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.4
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 62
    周辺 -94% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 3340

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM