RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
比較する
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
62
70
周辺 11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
70
読み出し速度、GB/s
3,556.6
15.7
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
7.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
1934
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link