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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
54
62
周辺 -15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.3
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.3
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
54
読み出し速度、GB/s
3,556.6
9.3
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
7.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
1904
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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