RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

総合得点
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.4
    テスト平均値
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 62
    周辺 -68% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 2179

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX3M2B1866C10 4GB
Corsair CMSX8GX3M2B1866C10 4GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
メモリRAM