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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

総合得点
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    62 left arrow 75
    周辺 17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.9
    テスト平均値
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.1 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 75
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 7.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 1763

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

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SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
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