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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 62
    周辺 -72% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 2657

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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