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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
62
周辺 -107% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
30
読み出し速度、GB/s
3,556.6
16.4
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
13.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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