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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
総合得点
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
62
83
周辺 25% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
1,843.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
83
読み出し速度、GB/s
3,556.6
14.3
書き込み速度、GB/秒
1,843.6
8.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
542
1774
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
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