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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 29
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 15.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB 考慮すべき理由
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 11.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 2553

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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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メモリRAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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